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3d nand 文章 最新資訊

NAND Flash合約價 Q3看漲10%

  • 根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價格走勢，預(yù)估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。 綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

  • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND

  • SSD?對于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計自動化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平

  • TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？

  • 縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導(dǎo)體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學(xué)研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

  • 韓國頂尖國家級研究機構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)

  • 上半年，時至過半?；仡欉@半年的半導(dǎo)體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個過程中會對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

  • 據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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臺積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價蠢動

  • 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長期將出現(xiàn)短缺。 供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機會受惠。多家BT載板業(yè)者證實，確實2025年5月上旬時，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形，已進一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

  • 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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閃存，是如何工作的？

  • NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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3d nand介紹

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